Поздравляем с праздниками Первого Мая и Дня Победы!
Мы уходим на каникулы с 28 апреля по 12 мая, чтобы хорошо отдохнуть, а потом качественно и оперативно поработать для Вас.
Заказы на сайте будут приниматься без перерыва 24/7 и будут ВСЕ обработаны и отправлены начиная с 13 мая.
Все заказы, которые будут скомплектованы до 26 апреля будут отправлены в апреле.
Оперативная память SODIMM Kingston FURY Impact [KF318LS11IB/8] 8 ГБ
Артикул: 114731
5530 руб.
Есть в наличии
-1
+1
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без уведомления.
Цветовые решения продукта, а также иные опциональные элементы, представленные на изображении и в описании, могут отличаться от заявленных в
наименовании данной позиции и создают общее представление о внешнем виде, дизайне и функциональных особенностях продукта. Уточняйте подробные
характеристики товара на сайте производителя.
Оперативная память SODIMM Kingston FURY Impact [KF318LS11IB/8] 8 ГБ
Компания Kingston с гордостью представляет FURY Impact — бренд высокопроизводительных продуктов для геймеров и энтузиастов. Опыт Kingston в разработке и ...
Компания Kingston с гордостью представляет FURY Impact — бренд высокопроизводительных продуктов для геймеров и энтузиастов. Опыт Kingston в разработке и производстве памяти и хранилищ файлов (воплощением которого стали продукты HyperX DRAM, флэш-память и твердотельные накопители) помогает компании в течение двух десятилетий оставаться ключевым выбором энтузиастов и геймеров. Kingston FURY Impact — это поколение высокопроизводительных устройств памяти и решений для хранения данных, предназначенных для энтузиастов, геймеров и создателей контента. Kingston FURY Impact продолжает традицию производства самой производительной и надёжной памяти DRAM на рынке.
Гарантия от продавца
12 мес.
Общие параметры
Тип
оперативная память
Модель
Kingston FURY Impact
Код производителя
[KF318LS11IB/8]
Цвет
черный
Объем и состав комплекта
Тип памяти
DDR3L
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Быстродействие
Частота
1866 МГц
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Конструктивные особенности
Количество чипов модуля
8
Двухсторонняя установка чипов
есть
Радиатор
нет
Дополнительно
Напряжение питания
1.35 В